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8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash
A Microchip Technology Company
SST39WF800B
Data Sheet
Table 5: CFI Query Identification String 1 for SST39WF800B
Address
10H
11H
12H
13H
14H
15H
16H
17H
18H
19H
1AH
Data
0051H
0052H
0059H
0001H
0007H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
Data
Query Unique ASCII string “QRY”
Primary OEM command set
Address for Primary Extended Table
Alternate OEM command set (00H = none exists)
Address for Alternate OEM extended Table (00H = none exits)
T5.0 25031
1. Refer to CFI publication 100 for more details.
Table 6: System Interface Information for SST39WF800B
Address
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
Data
0016H
0020H
0000H
0000H
0005H
0000H
0005H
0007H
0001H
0000H
0001H
0001H
Data
V DD Min (Program/Erase)
DQ 7 -DQ 4 : Volts, DQ 3 -DQ 0 : 100 millivolts
V DD Max (Program/Erase)
DQ 7 -DQ 4 : Volts, DQ 3 -DQ 0 : 100 millivolts
V PP min (00H = no V PP pin)
V PP max (00H = no V PP pin)
Typical time out for Word-Program 2 N μs (2 5 = 32 μs)
Typical time out for min size buffer program 2 N μs (00H = not supported)
Typical time out for individual Sector/Block-Erase 2 N ms (2 5 = 32 ms)
Typical time out for Chip-Erase 2 N ms (2 7 = 128 ms)
Maximum time out for Word-Program 2 N times typical (2 1 x 2 5 = 64 μs)
Maximum time out for buffer program 2 N times typical
Maximum time out for individual Sector/Block-Erase 2 N times typical (2 1 x 2 5 = 64 ms)
Maximum time out for Chip-Erase 2 N times typical (2 1 x 2 7 = 256 ms)
T6.0 25031
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
11
DS25031A
08/11
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